IRF7450TRPBF备选型号: IRF7451TRPBF

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  • 电压 - 额定直流
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  • 额定电流
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    170mOhm
    雪崩 额定
    200V
    DUAL
    鸥翼
    2.5A
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.5A, 10V
    5.5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    39nC @ 10V
    3ns
    ±30V
    18 ns
    2.5A
    5.5V
    30V
    200V
    20A
    200V
    230 mJ
    5.5 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    150V
    DUAL
    鸥翼
    3.6A
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.2A, 10V
    5.5V @ 250μA
    990pF @ 25V
    41nC @ 10V
    4.2ns
    ±30V
    15 ns
    3.6A
    -
    30V
    150V
    29A
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.09Ohm
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