IRF7450TRPBF备选型号: STS3P6F6
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC14 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)8SMD/SMT170mOhm雪崩 额定200VDUAL鸥翼2.5ASingle增强型MOSFET3W10 nsN-ChannelSWITCHING170m Ω @ 1.5A, 10V5.5V @ 250μA940pF @ 25V39nC @ 10V3ns±30V18 ns2.5A5.5V30V200V20A200V230 mJ5.5 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free---
- MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-10V-55°C~150°C TJDigi-Reel®DeepGATE™, STripFET™ VI-Obsolete3 (168 Hours)--160mOhm-----Single-2.7W6.4 nsP-Channel-160m Ω @ 1.5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V5.3ns±20V3.7 ns3A-20V-60V----1.5mm5mm4mm-无ROHS3 Compliant无铅EAR99STS3P60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STS3P6F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC | 对比 |
![]() | ZXMP6A17N8TC | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO | 对比 |





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