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IRF7488PBF备选型号: FDS3590

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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF7488PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.3A Ta
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    80V
    DUAL
    鸥翼
    6.3A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 3.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1680pF @ 25V
    57nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    6.3A
    4V
    20V
    0.029Ohm
    80V
    50A
    80V
    96 mJ
    4 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS3590
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.5A Ta
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    80V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1180pF @ 40V
    35nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    12 ns
    6.5A
    4V
    20V
    -
    80V
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    Tin
    130mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    yes
    39MOhm
    Single
    6.4A
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