IRF7504TRPBF备选型号: IRF7555TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率 - 最大
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO812 WeeksTin表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8SILICON1.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3不用于新设计2 (1 Year)8270mOhm逻辑电平兼容-20V1.25W鸥翼-1.7AIRF7504PBFDual增强型MOSFET1.25W9.1 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING270m Ω @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA240pF @ 15V8.2nC @ 4.5V35ns20V43 ns-1.7A-700mV12V-20V9.6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门860μm3mm3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8--表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8-4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005-Obsolete1 (Unlimited)-55mOhm--20V1.25W--4.3AIRF7555PBFDual-1.25W10 ns2 P-Channel (Dual)-55mOhm @ 4.3A, 4.5V1.2V @ 250μA1066pF @ 10V15nC @ 5V46ns20V64 ns-4.3A-12V-20V--逻辑电平门860μm3mm3mm--符合RoHS标准无铅Micro8™150°C-55°C1.25W1.066nF55mOhm55 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7506TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7555TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7509TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 | 对比 |



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