IRF7524D1PBF备选型号: IRF7324D1TRPBF

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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    1.25W
    P-Channel
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±12V
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2W
    P-Channel
    270mOhm @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    7.8nC @ 4.5V
    -
    20V
    ±12V
    -
    2.2A
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    8-SO
    150°C
    -55°C
    -20V
    -2.9A
    260pF
    270mOhm
    270 mΩ
    无铅
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