IRF7524D1PBF备选型号: IRF7324D1TRPBF
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- 底架
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- 引脚数
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)81.7A Ta-55°C~150°C TJTubeFETKY™2005Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明1.25WP-Channel270m Ω @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA240pF @ 15V8.2nC @ 4.5V35ns20V±12V43 ns-1.7A12V-20VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准---------
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)--2WP-Channel270mOhm @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA260pF @ 15V7.8nC @ 4.5V-20V±12V-2.2A12V-20VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准8-SO150°C-55°C-20V-2.9A260pF270mOhm270 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7504TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-XFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | 对比 |
![]() | IRF7324D1TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC | 对比 |





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