IRF7524D1PBF备选型号: IRLML2402TRPBF

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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    1.25W
    P-Channel
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±12V
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    260
    30
    540mW
    N-Channel
    250m Ω @ 930mA, 4.5V
    700mV @ 250μA
    110pF @ 15V
    3.9nC @ 4.5V
    9.5ns
    -
    ±12V
    4.8 ns
    1.2A
    12V
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    Micro3
    e3
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    250mOhm
    HIGH RELIABILITY
    20V
    DUAL
    鸥翼
    1.2A
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5 ns
    SWITCHING
    700mV
    20V
    700 mV
    20V
    1.016mm
    3.0226mm
    3.05mm
    无SVHC
    无铅
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