IRF7524D1PBF备选型号: IRLML2402TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)81.7A Ta-55°C~150°C TJTubeFETKY™2005Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明1.25WP-Channel270m Ω @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA240pF @ 15V8.2nC @ 4.5V35ns20V±12V43 ns-1.7A12V-20VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准----------------------------
- MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-331.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003活跃1 (Unlimited)26030540mWN-Channel250m Ω @ 930mA, 4.5V700mV @ 250μA110pF @ 15V3.9nC @ 4.5V9.5ns-±12V4.8 ns1.2A12V20V-ROHS3 Compliant12 WeeksTinSILICONMicro3e33SMD/SMTEAR99250mOhmHIGH RELIABILITY20VDUAL鸥翼1.2A不合格Single增强型MOSFET2.5 nsSWITCHING700mV20V700 mV20V1.016mm3.0226mm3.05mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7504TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-XFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | 对比 |
![]() | IRF7324D1TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC | 对比 |






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