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首页 全部分类 IRF7524D1PBF vs DMN2300UFL4-7

IRF7524D1PBF备选型号: DMN2300UFL4-7

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7524D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    1.25W
    P-Channel
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±12V
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFL4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    6
    2.11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    260
    40
    1.39W
    2 N-Channel (Dual)
    195m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    128.6pF @ 25V
    3.2nC @ 4.5V
    2.8ns
    -
    -
    13 ns
    2.11A
    8V
    20V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    530mW
    2
    3.5 ns
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无SVHC
    无铅
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