IRF7526D1PBF备选型号: CPH3355-TL-W
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)82A Ta-55°C~150°C TJTubeFETKY™2005Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明800mWP-Channel200m Ω @ 1.2A, 10V1V @ 250μA180pF @ 25V11nC @ 10V30V±20V-2A20V-30VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准----------
- MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-332.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)-2012活跃1 (Unlimited)---P-Channel156m Ω @ 1A, 10V2.6V @ 1mA172pF @ 10V3.9nC @ 10V30V±20V2.5A20V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)7 WeeksTinyesnot_compliant14.5 ns4.2ns10.6 ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | FDG316P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET SC70-6 P-CH -30V | 对比 |
![]() | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |






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