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首页 全部分类 IRF7526D1PBF vs FDG316P

IRF7526D1PBF备选型号: FDG316P

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7526D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    800mW
    P-Channel
    200m Ω @ 1.2A, 10V
    1V @ 250μA
    180pF @ 25V
    11nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -2A
    20V
    -30V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG316P
    ON Semiconductor
    MOSFET SC70-6 P-CH -30V
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    750mW
    P-Channel
    190m Ω @ 1.6A, 10V
    3V @ 250μA
    165pF @ 15V
    5nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.6A
    20V
    -30V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    28mg
    SILICON
    e3
    yes
    6
    EAR99
    190MOhm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    1.6A
    Single
    增强型MOSFET
    8 ns
    SWITCHING
    9ns
    9 ns
    -1.6V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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