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首页 全部分类 IRF7526D1PBF vs IRLMS5703TRPBF

IRF7526D1PBF备选型号: IRLMS5703TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7526D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    800mW
    P-Channel
    200m Ω @ 1.2A, 10V
    1V @ 250μA
    180pF @ 25V
    11nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -2A
    20V
    -30V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS5703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    2.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.7W
    P-Channel
    180m Ω @ 1.6A, 10V
    1V @ 250μA
    170pF @ 25V
    11nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -2.3A
    20V
    -30V
    -
    ROHS3 Compliant
    7 Weeks
    SILICON
    e3
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    180mOhm
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -2.3A
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    12ns
    8.4 ns
    -1V
    2.4A
    -30V
    -1 V
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    无铅
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