IRF7526D1TRPBF备选型号: ZXM64P03XTA

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    800mW
    9.7 ns
    P-Channel
    200m Ω @ 1.2A, 10V
    1V @ 250μA
    180pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    30V
    ±20V
    9.3 ns
    -2A
    20V
    2A
    -30V
    Schottky Diode (Isolated)
    910μm
    3.048mm
    3.048mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 30V P Chnl HDMOS
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.8W
    4.4 ns
    P-Channel
    75m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    825pF @ 25V
    46nC @ 10V
    6.2ns
    30V
    ±20V
    6.2 ns
    3.8A
    20V
    -
    -
    -
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    139.989945mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    75mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.8A
    40
    8
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无SVHC
    无铅
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