IRF7526D1TRPBF备选型号: ZXM64P03XTA
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)82A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™1999Obsolete1 (Unlimited)EAR99Single800mW9.7 nsP-Channel200m Ω @ 1.2A, 10V1V @ 250μA180pF @ 25V11nC @ 10V12ns30V±20V9.3 ns-2A20V2A-30VSchottky Diode (Isolated)910μm3.048mm3.048mm无符合RoHS标准----------------------
- MOSFET 30V P Chnl HDMOS表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)81-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2006活跃1 (Unlimited)EAR99-1.8W4.4 nsP-Channel75m Ω @ 2.4A, 10V1V @ 250μA825pF @ 25V46nC @ 10V6.2ns30V±20V6.2 ns3.8A20V---950μm3.1mm3.1mm无ROHS3 Compliant10 Weeks139.989945mgSILICONe3yes875mOhmMatte Tin (Sn)低阈值-30VDUAL鸥翼260-3.8A4081Single增强型MOSFETSWITCHING无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 | 对比 |
![]() | ZXM64P03XTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | 对比 |
![]() | IRF7509TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 | 对比 |




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