Infineon Technologies IRF7526D1TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FETKY™

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

配置

Single

功率耗散

800mW

接通延迟时间

9.7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.3 ns

连续放电电流(ID)

-2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

-30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

高度

910μm

长度

3.048mm

宽度

3.048mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准