IRF7555TRPBF备选型号: ZXM64N02XTA
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- 底架
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8Micro8™4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005Obsolete1 (Unlimited)55mOhm150°C-55°C-20V1.25W-4.3AIRF7555PBFDual1.25W10 ns1.25W2 P-Channel (Dual)55mOhm @ 4.3A, 4.5V1.2V @ 250μA1066pF @ 10V15nC @ 5V46ns20V64 ns-4.3A12V-20V1.066nF逻辑电平门55mOhm55 mΩ860μm3mm3mm符合RoHS标准无铅--------------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin MSOP T/R表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8-5.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2012Obsolete1 (Unlimited)40mOhm--20V-5.4A--1.8W5.7 ns-N-Channel40m Ω @ 3.8A, 4.5V700mV @ 250μA1100pF @ 15V16nC @ 4.5V9.6ns-9.6 ns5.4A12V20V----950μm3.1mm3.1mmROHS3 Compliant无铅139.989945mgSILICONe3yes8EAR99Matte Tin (Sn)低阈值DUAL鸥翼260408SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETSWITCHING±12V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7507TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7504TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | ZXM64P02XTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | 对比 |




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