IRF7603TRPBF备选型号: DMC3028LSDX-13
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8Micro8™5.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C30V5.6ASingle1.8W5.7 nsN-Channel35mOhm @ 3.7A, 10V1V @ 250μA520pF @ 25V27nC @ 10V28ns30V±20V12 ns5.6A20V30V520pF35mOhm35 mΩ符合RoHS标准无铅---------------------------
- MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-5.5A 5.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2015活跃1 (Unlimited)------9.7 nsN and P-Channel27m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA641pF @ 15V13.2nC @ 10V17.1ns30V-40.4 ns5.8A20V----ROHS3 Compliant-23 Weeks73.992255mgSILICONe38EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.2WDUAL鸥翼26030AEC-Q1012增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL5.5A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm4.95mm3.95mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7421D1TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | 对比 |





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