Infineon Technologies IRF7603TRPBF
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IRF7603TRPBF
1211-IRF7603TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
--最小包装量--
IRF7603TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7603TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
Micro8™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
5.6A
元素配置
Single
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
5.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35mOhm @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
520pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
28ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
5.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
520pF
漏源电阻
35mOhm
最大rds
35 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7603TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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