IRF7606TRPBF备选型号: IRF7506TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 无铅
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  • 最大功率耗散
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2002
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    90MOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -3.6A
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    30V
    ±20V
    39 ns
    -3.6A
    20V
    -30V
    29A
    860μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    8
    270mOhm
    逻辑电平兼容
    -
    -
    鸥翼
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    9.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    270m Ω @ 1.2A, 10V
    1V @ 250μA
    180pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    30V
    -
    9.3 ns
    -1.7A
    20V
    -30V
    9.6A
    910μm
    3.048mm
    3.048mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    1.25W
    IRF7506PBF
    -1V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1 V
    无SVHC
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