IRF7606TRPBF备选型号: ZXM64N02XTA

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
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  • 包装
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 电阻
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  • 电压 - 额定直流
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  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2002
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    90MOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -3.6A
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    30V
    ±20V
    39 ns
    -3.6A
    20V
    -30V
    29A
    860μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin MSOP T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    5.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    40mOhm
    低阈值
    20V
    DUAL
    鸥翼
    5.4A
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    5.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 3.8A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    1100pF @ 15V
    16nC @ 4.5V
    9.6ns
    -
    ±12V
    9.6 ns
    5.4A
    12V
    20V
    -
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    139.989945mg
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    无SVHC
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