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首页 全部分类 IRF7739L1TRPBF vs AUIRF7739L2TR

IRF7739L1TRPBF备选型号: AUIRF7739L2TR

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF7739L1TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    15
    46A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    3.8W
    21 ns
    N-Channel
    1m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    11880pF @ 25V
    330nC @ 10V
    71ns
    40V
    ±20V
    42 ns
    270A
    20V
    375A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7739L2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    3
    46A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    125W
    21 ns
    N-Channel
    1m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    11880pF @ 25V
    330nC @ 10V
    71ns
    -
    ±20V
    42 ns
    270A
    20V
    46A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    HEXFET®
    e1
    9
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    R-XBCC-N9
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    40V
    558.8μm
    9.144mm
    7.1mm
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