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首页 全部分类 IRF7739L1TRPBF vs NVMFS4C01NT1G

IRF7739L1TRPBF备选型号: NVMFS4C01NT1G

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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
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  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF7739L1TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    15
    46A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    3.8W
    21 ns
    N-Channel
    1m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    11880pF @ 25V
    330nC @ 10V
    71ns
    40V
    ±20V
    42 ns
    270A
    20V
    375A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    49A Ta 319A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    29 ns
    N-Channel
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    68ns
    30V
    ±20V
    36 ns
    319A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    0.00095Ohm
    900A
    30V
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