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IRF7799L2TRPBF备选型号: FQD16N25CTM
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 栅源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L811SILICON375A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)9EAR99BOTTOMR-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET125WDRAIN36.3 nsN-ChannelSWITCHING38m Ω @ 21A, 10V5V @ 250μA6714pF @ 25V165nC @ 10V33.5ns±30V26.6 ns6.6A4V30V375A0.038Ohm250V140A325 mJ508μm9.144mm7.112mm无SVHC无符合RoHS标准------------------
MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON16A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2006活跃1 (Unlimited)2EAR99-R-PSSO-G2-增强型MOSFET160W-15 nsN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1080pF @ 25V53.5nC @ 10V130ns±30V105 ns16A4V30V--250V64A-2.3mm6.6mm6.1mm无SVHC-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)7 WeeksTin260.37mge3yes270mOhm雪崩 额定250V鸥翼未说明not_compliant16A未说明不合格Single4 V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB2710 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 | 对比 |
 | IRFS4229PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 对比 |
| FDB2614 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK | 对比 |
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