Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L8

引脚数

11

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

375A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.3W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

73.9 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N9

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

36.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6714pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

165nC @ 10V

上升时间

33.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

26.6 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

375A

漏极-源极导通最大电阻

0.038Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140A

雪崩能量等级（Eas）

325 mJ

高度

508μm

长度

9.144mm

宽度

7.112mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准