您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF7854PBF vs FDS5672

IRF7854PBF备选型号: FDS5672

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大输出电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF7854PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    13.4MOhm
    150°C
    -55°C
    2.5A
    2.5W
    9.4 ns
    N-Channel
    13.4mOhm @ 10A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    8.5ns
    80V
    ±20V
    8.6 ns
    10A
    4.9V
    20V
    80V
    80V
    1.62nF
    65 ns
    13.4mOhm
    13.4 mΩ
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS5672
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    10MOhm
    -
    -
    -
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    45nC @ 10V
    20ns
    -
    ±20V
    14 ns
    12mA
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    4 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Tin
    130mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    EAR99
    60V
    DUAL
    鸥翼
    12A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    150°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC 对比
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS3572 - N CHANNEL MOSFET, 80V, 8.9A, SOIC 对比
IRF7855PBF IRF7855PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC 对比