您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF7862TRPBF vs IRF8113GPBF

IRF7862TRPBF备选型号: IRF8113GPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF7862TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    3.3MOhm
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4090pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    11 ns
    21A
    20V
    30V
    350 mJ
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    -
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    20V
    30V
    -
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    150°C
    -55°C
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 对比
IRF8113GPBF IRF8113GPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO 对比
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC 对比