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首页 全部分类 IRF830PBF vs IPD80R1K0CEATMA1

IRF830PBF备选型号: IPD80R1K0CEATMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF830PBF
    Infineon Technologies
    PLANAR >= 100V
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    500V
    4.5A
    74W
    N-Channel
    1.5Ohm @ 2.7A, 10V
    4V @ 250μA
    610pF @ 25V
    38nC @ 10V
    500V
    ±20V
    4.5A
    20V
    1.5Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD80R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    PG-TO252-3
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    83W
    N-Channel
    950mOhm @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    800V
    ±20V
    5.7A
    20V
    800mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    表面贴装
    3
    3.949996g
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    25 ns
    15ns
    8 ns
    3V
    800V
    800V
    785pF
    950 mΩ
    无SVHC
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