Infineon Technologies IRF830PBF
- 收藏
- 对比
IRF830PBF
1211-IRF830PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

PLANAR >= 100V
--最小包装量--
IRF830PBF详情
Infineon Technologies IRF830PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
74W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
系列
HEXFET®
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
500V
额定电流
4.5A
功率耗散
74W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源电阻
1.5Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF830PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。