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首页 全部分类 IRF830PBF vs IPD80R1K0CEBTMA1

IRF830PBF备选型号: IPD80R1K0CEBTMA1

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  • Infineon Technologies
    IRF830PBF
    Infineon Technologies
    PLANAR >= 100V
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    500V
    4.5A
    74W
    N-Channel
    1.5Ohm @ 2.7A, 10V
    4V @ 250μA
    610pF @ 25V
    38nC @ 10V
    500V
    ±20V
    4.5A
    20V
    1.5Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD80R1K0CEBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    83W
    N-Channel
    950m Ω @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    5.7A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    3
    3.949996g
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    25 ns
    SWITCHING
    15ns
    8 ns
    800V
    0.95Ohm
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