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首页 全部分类 IRF8734TRPBF vs IRF7862TRPBF

IRF8734TRPBF备选型号: IRF7862TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 长度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF8734TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    3.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    ±20V
    8 ns
    21A
    20V
    30V
    1.4986mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7862TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    3.3MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4090pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    11 ns
    21A
    20V
    30V
    1.4986mm
    3.9878mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    未说明
    350 mJ
    2.35 V
    4.9784mm
    无SVHC
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