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首页 全部分类 IRF8736TRPBF vs FDS6676AS

IRF8736TRPBF备选型号: FDS6676AS

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • Infineon Technologies
    IRF8736TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.8MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 18A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2315pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    7.5 ns
    18A
    1.8V
    20V
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6676AS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    14.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    6MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 14.5A, 10V
    3V @ 1mA
    2510pF @ 15V
    63nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    29 ns
    14.5A
    1.5V
    20V
    30V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    130mg
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
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