IRF8736TRPBF备选型号: IRF8736PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终端
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 双电源电压
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON18A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007活跃1 (Unlimited)8EAR994.8MOhmDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING4.8m Ω @ 18A, 10V2.35V @ 50μA2315pF @ 15V26nC @ 4.5V15ns±20V7.5 ns18A1.8V20V30V1.8 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON18A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)8EAR994.8MOhmDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING4.8m Ω @ 18A, 10V2.35V @ 50μA2315pF @ 15V26nC @ 4.5V15ns±20V7.5 ns18A1.8V20V30V1.8 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3SMD/SMTMatte Tin (Sn)2603030V24 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8736PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | 对比 |
| FDS6676AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 对比 |



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