IRF8736TRPBF备选型号: IRF7832TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 行间距
- 通道数量
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON18A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007活跃1 (Unlimited)8EAR994.8MOhmDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING4.8m Ω @ 18A, 10V2.35V @ 50μA2315pF @ 15V26nC @ 4.5V15ns±20V7.5 ns18A1.8V20V30V1.8 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON20A Ta-55°C~155°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)8EAR994MOhmDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 20A, 10V2.32V @ 250μA4310pF @ 15V51nC @ 4.5V6.7ns±20V13 ns20A2.32V20V30V2.32 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeSMD/SMT30V20A6.3 mm130V260 mJ62 ns155°C
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8736PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | 对比 |
| FDS6676AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。