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IRF8910TRPBF备选型号: IRF8915TRPBF

IRF8910TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2008
活跃
1 (Unlimited)
SMD/SMT
EAR99
13.4MOhm
20V
2W
10A
IRF8910PBF
Dual
增强型MOSFET
2W
6.2 ns
2 N-Channel (Dual)
13.4m Ω @ 10A, 10V
2.55V @ 250μA
960pF @ 10V
11nC @ 4.5V
10ns
4.1 ns
10A
2.55V
20V
20V
20V
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
逻辑电平门
2.55 V
1.5mm
5mm
4mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
IRF8915TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2008
活跃
1 (Unlimited)
-
EAR99
18.3MOhm
20V
2W
8.9A
IRF8915PBF
Dual
-
2W
6 ns
2 N-Channel (Dual)
18.3m Ω @ 8.9A, 10V
2.5V @ 250μA
540pF @ 10V
7.4nC @ 4.5V
12ns
3.6 ns
8.9A
2.5V
20V
20V
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
逻辑电平门
-
1.4986mm
4.9784mm
3.9878mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
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