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首页 全部分类 IRF9410TRPBF vs DMC3028LSD-13

IRF9410TRPBF备选型号: DMC3028LSD-13

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
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  • 高度
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRF9410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    23 ns
    1V @ 250μA
    2004
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    30mOhm
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    30V
    DUAL
    鸥翼
    7A
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 7A, 10V
    550pF @ 25V
    27nC @ 10V
    7.3ns
    ±20V
    17 ns
    7A
    1V
    20V
    30V
    30V
    70 mJ
    1 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC3028LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.6A 6.8A
    -
    2009
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    3.5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 10V
    472pF @ 15V
    10.5nC @ 10V
    4.9ns
    -
    28 ns
    7.4A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    4mm
    5mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    yes
    1.8W
    260
    40
    DMC3028LSD
    8
    3V @ 250μA
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5.5A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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