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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.554535
10
¥6.183523
100
¥5.833513
500
¥5.503314
1000
¥5.191806
Infineon Technologies IRF7807VTRPBF
- 收藏
- 对比
IRF7807VTRPBF
1211-IRF7807VTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7807VTRPBF详情
Infineon Technologies IRF7807VTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2003
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
25MOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
8.3A
配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
6.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 5V
上升时间
1.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
8.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7807VTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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