IRF9952PBF备选型号: NDS9952A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 行间距
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 端子表面处理
- 元素配置
- 双电源电压
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.5A 2.3A-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)8EAR99100mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY2WDUAL鸥翼3.5AIRF9952PBF6.3 mm增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.2A, 10V1V @ 250μA190pF @ 15V14nC @ 10V14nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL6.9 ns3.5A1V20V30V16A44 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V1.4986mm4.9784mm4.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.7A 2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)8EAR9980MOhm-900mW-鸥翼2.9A--增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING80m Ω @ 1A, 10V2.8V @ 250μA320pF @ 10V25nC @ 10V21nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL8 ns3.7A1.7V20V30V15A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.7 V---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks230.4mge3yesSMD/SMTTin (Sn)Dual30V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMS3P03R2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
| NDS9952A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
| NTMS3P03R2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。