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IRFB4229PBF备选型号: FDP2710
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
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- 电阻
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 接通延迟时间
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON46A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2007活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9946MOhmSingle增强型MOSFET330mWDRAINN-ChannelSWITCHING46m Ω @ 26A, 10V5V @ 250μA4560pF @ 25V110nC @ 10V31ns±30V21 ns46A5VTO-220AB30V250V250V290 ns5 V16.51mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 250V 50A TO-2209 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubePowerTrench®2013活跃1 (Unlimited)3-EAR9942.5MOhmSingle增强型MOSFET260W-N-ChannelSWITCHING42.5m Ω @ 25A, 10V5V @ 250μA7280pF @ 25V101nC @ 10V252ns±30V154 ns50A-TO-220AB30V250V---16.51mm10.67mm4.83mm--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1.8ge3yesTin (Sn)未说明未说明不合格80 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP51N25 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 | 对比 |
| FDP52N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 52A TO-220 | 对比 |
| IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
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