IRFH3702TRPBF备选型号: IRFHS8342TR2PBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    12 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    16A Ta 42A Tc
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    DUAL
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.1m Ω @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    5.8 ns
    16A
    1.8V
    20V
    0.0071Ohm
    30V
    120A
    30V
    77 mJ
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
    -
    6-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    8.8A Ta 19A Tc
    2010
    HEXFET®
    Digi-Reel®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    5.9 ns
    N-Channel
    -
    16mOhm @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    -
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    1.8 V
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    符合RoHS标准
    无SVHC
    PG-TSDSON-6
    150°C
    -55°C
    2.1W
    Single
    30V
    600pF
    17 ns
    16mOhm
    16 mΩ
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