IRFH3702TRPBF备选型号: IRFHS8342TR2PBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN12 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装8SILICON16A Ta 42A Tc2009HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99DUALS-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.8WDRAIN9.6 nsN-ChannelSWITCHING7.1m Ω @ 16A, 10V2.35V @ 25μA1510pF @ 15V14nC @ 4.5V15ns±20V5.8 ns16A1.8V20V0.0071Ohm30V120A30V77 mJ1.8 V939.8μm2.9972mm2.9972mmROHS3 Compliant无无SVHC----------
- MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN-6-PowerVDFN表面贴装表面贴装6-8.8A Ta 19A Tc2010HEXFET®Digi-Reel®-Obsolete1 (Unlimited)-------2.1W-5.9 nsN-Channel-16mOhm @ 8.5A, 10V2.35V @ 25μA600pF @ 25V8.7nC @ 10V15ns-5 ns8.8A1.8V20V-30V---1.8 V950μm2.1mm2.1mm符合RoHS标准无无SVHCPG-TSDSON-6150°C-55°C2.1WSingle30V600pF17 ns16mOhm16 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHS8342TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | 对比 |
![]() | IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN | 对比 |





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