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首页 全部分类 IRFH4253DTRPBF vs FDD8870

IRFH4253DTRPBF备选型号: FDD8870

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • Infineon Technologies
    IRFH4253DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    14 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2
    2013
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    50W
    Dual
    31W 50W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    145A
    1.6V
    20V
    35A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5mm
    6mm
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    21A Ta 160A Tc
    2004
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    -
    N-Channel
    3.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5160pF @ 15V
    118nC @ 10V
    -
    160A
    2.5V
    20V
    -
    -
    -
    6.22mm
    6.73mm
    2.517mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    4.4MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    鸥翼
    160A
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    83ns
    ±20V
    42 ns
    TO-252AA
    30V
    690 mJ
    175°C
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