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首页 全部分类 IRFH4253DTRPBF vs IRLR8743TRPBF

IRFH4253DTRPBF备选型号: IRLR8743TRPBF

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  • 高度
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  • 辐射硬化
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH4253DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    14 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2
    2013
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    50W
    Dual
    31W 50W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    145A
    1.6V
    20V
    35A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5mm
    6mm
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
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  • Infineon Technologies
    IRLR8743TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
    12 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    160A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    -
    N-Channel
    3.1m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4880pF @ 15V
    59nC @ 4.5V
    -
    160A
    1.9V
    20V
    -
    -
    -
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    3.1MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    135W
    DRAIN
    19 ns
    SWITCHING
    35ns
    ±20V
    17 ns
    TO-252AA
    30V
    640A
    250 mJ
    1.9 V
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