IRFH4253DTRPBF备选型号: IRFH4251DTRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    14 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2
    2013
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    50W
    Dual
    31W 50W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    145A
    1.6V
    20V
    35A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5mm
    6mm
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
    14 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    64A 188A
    2013
    FASTIRFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    63W
    Dual
    31W 63W
    2 N-Channel (Dual), Schottky
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    188A
    1.6V
    20V
    45A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5mm
    6mm
    900μm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    8
    增强型MOSFET
    SOURCE
    SWITCHING
    0.0046Ohm
    61 mJ
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