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首页 全部分类 IRFH4255DTRPBF vs IRLR3717PBF

IRFH4255DTRPBF备选型号: IRLR3717PBF

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  • 操作模式
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    Tin
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    30A
    1.6V
    20V
    逻辑电平门
    6mm
    5mm
    900μm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR3717PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    4m Ω @ 15A, 10V
    2.45V @ 250μA
    2830pF @ 10V
    31nC @ 4.5V
    -
    120A
    2V
    20V
    -
    6.7056mm
    6.22mm
    2.26mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    15 Weeks
    SILICON
    e3
    2
    4MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    20V
    鸥翼
    260
    120A
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    14ns
    ±20V
    16 ns
    TO-252AA
    20V
    460A
    460 mJ
    33 ns
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