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首页 全部分类 IRFH4255DTRPBF vs PHD108NQ03LT,118

IRFH4255DTRPBF备选型号: PHD108NQ03LT,118

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    Tin
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    30A
    1.6V
    20V
    逻辑电平门
    6mm
    5mm
    900μm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PHD108NQ03LT,118
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    6m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 1mA
    1375pF @ 12V
    16.3nC @ 4.5V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    e3
    2
    TIN
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    TO-252AA
    75A
    0.0075Ohm
    240A
    25V
    180 mJ
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