您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFH4255DTRPBF vs NTMFS4898NFT3G

IRFH4255DTRPBF备选型号: NTMFS4898NFT3G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    Tin
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    25V
    30A
    1.6V
    20V
    逻辑电平门
    6mm
    5mm
    900μm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4898NFT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    -
    5
    13.2A Ta 117A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3233pF @ 12V
    49.5nC @ 10V
    -
    117A
    1.5V
    20V
    -
    5.1mm
    6.1mm
    1.1mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    增强型MOSFET
    73.5W
    DRAIN
    17.6 ns
    SWITCHING
    23ns
    ±20V
    8.3 ns
    0.0048Ohm
    30V
    234A
    228 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR3717PBF IRLR3717PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 20V 120A DPAK 对比
IRFH8318TR2PBF IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN 对比
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 75A DPAK 对比