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首页 全部分类 IRFH5006TR2PBF vs IRFH7085TRPBF

IRFH5006TR2PBF备选型号: IRFH7085TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH5006TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    21A Ta 100A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    3.6W
    9.6 ns
    N-Channel
    4.1mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    13ns
    60V
    12 ns
    100A
    4V
    20V
    60V
    4.175nF
    42 ns
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    4 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7085TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    100A Tc
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    156W
    13 ns
    N-Channel
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    3.7V @ 150μA
    6460pF @ 25V
    165nC @ 10V
    25ns
    -
    23 ns
    23A
    3.7V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    950μm
    6.15mm
    5.15mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    0.0032Ohm
    590A
    554 mJ
    150°C
    无铅
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