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IRFH5110TR2PBF备选型号: IRFH5210TR2PBF

IRFH5110TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

表面贴装
表面贴装
8-PowerVDFN
8
8-PQFN (5x6)
11A Ta 63A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2010
Obsolete
1 (Unlimited)
150°C
-55°C
3.6W
Single
114W
7.8 ns
N-Channel
12.4mOhm @ 37A, 10V
4V @ 100μA
3152pF @ 25V
72nC @ 10V
9.6ns
100V
6.4 ns
63A
4V
20V
100V
3.152nF
51 ns
12.4mOhm
12.4 mΩ
4 V
838.2μm
5.9944mm
5mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
-
-
IRFH5210TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

表面贴装
表面贴装
8-PowerVDFN
8
8-PQFN (5x6)
10A Ta 55A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2011
Obsolete
1 (Unlimited)
150°C
-55°C
3.6W
Single
3.6W
7.2 ns
N-Channel
14.9mOhm @ 33A, 10V
4V @ 100μA
2570pF @ 25V
59nC @ 10V
9.7ns
100V
6.5 ns
100A
2V
20V
100V
2.57nF
44 ns
14.9mOhm
14.9 mΩ
2 V
838.2μm
5.9944mm
5mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
14.9MOhm
无铅
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