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首页 全部分类 IRFH5255TR2PBF vs IRFHM830DTRPBF

IRFH5255TR2PBF备选型号: IRFHM830DTRPBF

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFH5255TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    15A Ta 51A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    26W
    7.9 ns
    N-Channel
    6mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    988pF @ 13V
    14.5nC @ 10V
    10.7ns
    25V
    3.8 ns
    51A
    1.8V
    20V
    25V
    988pF
    17 ns
    10.9mOhm
    6 mΩ
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM830DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    -
    20A Ta 40A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.8W
    9.8 ns
    N-Channel
    4.3m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    1797pF @ 25V
    27nC @ 10V
    20ns
    -
    6.7 ns
    20A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    14 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    5
    EAR99
    7.1MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    40A
    无铅
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