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首页 全部分类 IRFH5300TRPBF vs IRFHM8363TRPBF

IRFH5300TRPBF备选型号: IRFHM8363TRPBF

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  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5300TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    40A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    7200pF @ 15V
    120nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    13 ns
    100A
    1.8V
    20V
    40A
    30V
    400A
    420 mJ
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8363TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    14 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    14.9m Ω @ 10A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1165pF @ 10V
    15nC @ 10V
    94ns
    -
    33 ns
    11A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    116A
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.7W
    IRFHM8363PBF
    Dual
    30V
    0.0149Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
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