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首页 全部分类 IRFH7911TRPBF vs IRFH8337TRPBF

IRFH7911TRPBF备选型号: IRFH8337TRPBF

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH7911TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    18-PowerVQFN
    18
    SILICON
    13A 28A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    6
    EAR99
    8.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    3.4W
    QUAD
    无铅
    260
    30
    IRFH7911PBF
    R-PQFP-N6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2.4W
    排水源头
    2.4W 3.4W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8.6m Ω @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1060pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    13A
    20V
    30V
    100A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.35 V
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8337TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    5.7 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    12.8m Ω @ 16.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    790pF @ 10V
    10nC @ 10V
    12A
    20V
    30V
    65A
    -
    -
    1.8 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    6.4 ns
    12ns
    ±20V
    4.1 ns
    无
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