Infineon Technologies IRFH7911TRPBF

工厂交货时间

39 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-PowerVQFN

引脚数

18

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A 28A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.6MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

3.4W

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRFH7911PBF

JESD-30代码

R-PQFP-N6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

2.4W 3.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.6m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.35 V

高度

939.8μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅