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首页 全部分类 IRFH7911TRPBF vs IRFHM9331TRPBF

IRFH7911TRPBF备选型号: IRFHM9331TRPBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 阈值电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFH7911TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    18-PowerVQFN
    18
    SILICON
    13A 28A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    6
    EAR99
    8.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    3.4W
    QUAD
    无铅
    260
    30
    IRFH7911PBF
    R-PQFP-N6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2.4W
    排水源头
    2.4W 3.4W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8.6m Ω @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1060pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    13A
    20V
    30V
    100A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.35 V
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    11A Ta 24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    14.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    S-PDSO-N5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    -11A
    25V
    -30V
    90A
    -
    -
    -
    1mm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    11 ns
    27ns
    30V
    ±25V
    60 ns
    -1.8V
    24A
    76 mJ
    150°C
    无
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