IRFH7932TRPBF备选型号: BSC034N03LSGATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 附加功能
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 资历状况
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 24A PQFN5612 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON24A Ta 104A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3活跃2 (1 Year)3SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)DUAL26030R-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.4WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 25A, 10V2.35V @ 100μA4270pF @ 15V51nC @ 4.5V48ns±20V20 ns24A1.8V20V25A0.0033Ohm30V30V1.8 V939.8μm6.096mm5.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON22A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3活跃1 (Unlimited)5-EAR99Tin (Sn)DUAL未说明未说明R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5WDRAIN6.9 nsN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA4300pF @ 15V52nC @ 10V4.8ns±20V4.6 ns100A2.2V20V22A-------无SVHC-ROHS3 Compliant含铅noLOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED无铅not_compliant8不合格无卤素30V400A55 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
![]() | STD75N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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